电阻R1和R2构成直流工作电压+V的分压电路，分压电压加到VT1基极，建立VT1基极直流偏置电压。电路中VT1发射极通过电阻R4接地，基极电压高于地端电压，所以基极电压高于发射极电压，发射结处于正向偏置状态。
流过Rl的电流分成两路：一路流入基极作为三极管VT1的基极电流，其基极电流回路是：+V-R1一VT1基极一VT1发射极一R4一地端：另一路通过电阻R2流到地线。
电路分析方法提示：分压式偏置电路中，R1称为上偏置电阻，R2称为下偏置电阻，虽然基极电流通过上偏置电阻R1构成回路，但是R1和R2分压后的电压决定了VT1基极电压的大小，在三极管发射极电阻确定的情况下，也就决定了基极电流的大小，所以R1和R2同时决定VT1基极电流的大小。
无论是NPN型还是PNP型三极管，无论是采用正电源还是负电源供电，一般情况偏置电路用两个电阻构成，这一点对识别分压式偏置电路十分方便。
分析分压式偏置电路中三极管基极电流大小的关键点是：R1和R2对直流工作电压+V分压后，加到三极管基极，该直流电压的大小决定了该管基极直流电流的大小，使三极管发射结正向直流偏置电压大基极电流大，反之则小。
2．分压式偏置电路变形电路分析 方法如上图所示是一种为了提高放大器输入电阻的分压式偏置电路。电路中的R1和R2构成分压式偏置电路，其分压后的电压不是直接加到三极管VT1基极，而是通过电阻R3加到VT1基极。
这一电路分析的方法是画出它的交流等效电路，从等效电路中可以看出，由于加入了电阻R3，电阻R1和R2并联后与R3串联（串联电阻电路总电阻增大），然后再与三极管VT1的输入电阻并联，这样提高了这一级放大器的输入电阻。所以，这种变形的分压式偏置电路中，电阻R3是为了提高放大器输入电阻而设置，没有其他作用。
3．集电极一基极负馈式偏置电路分析方法 如上图所示是集电极一基极负馈式偏置电路。偏置电阻R1接在三极管集电极与基极之间，根据这一电路特征很容易从众多元器中找出偏置电阻。这种偏置电路只用一只偏置电阻。
基极电流回路是：+V端一R2一VT1管集电极-R1一VTI管基极一VT1管发射极一地线。
本文关键字：负反馈 器件命名及常用参数，元器件介绍 - 器件命名及常用参数
