晶体管为何无最佳负载

晶体管无最佳负载之概念。额定输出4W的晶体管放大器，只要将负载电阻减小1/2，输出8W的功率是正常的。只要输出级有足够的极限参数值也是合理的。因而晶体管功放中以降低负载阻抗输出更大功率应该说是合理的运用方式。
　　
　　形成如此现象之原因是晶体管生产技术突飞猛进的结果，首先是极限参数的提高。一般功率输出管BYceo、ICm、Pc的实际应用值往往不到极限值1/3，因此使用中过压击穿、过流烧管之机会极少。真正限制Pc、Icm应用值增大的原因往往是器件的温升。极限值的增大也使晶体管的线性区大为扩宽，当然也就不存在以最佳负载来限定工作区的作法。目前的商品晶体管放大器已将降低负载阻抗提高输出功率的用法，近乎标准化。随着输出功率的增大，其最大失真并不随之增大。但是在VCC不变的情况下降低负载阻抗使用还是有先决条件的，首先低阻抗负载必然使峰值电流增大，设计运用的晶体管必须有足够的Icm、PCM值，同时配套良好的散热器，最不可忽视的是，前级的驱动电流也需慎重设计，以防止满功率输出时因输出管驱动电流不定而形成输出波形的下降失真。
　　
　　从两种器件的输出功率PO的计算方法中也可看出半导体和电子管的负载特性根本区别，以目前广泛应用的OTL放大电路为例：
　　
　　其输出功率常写成Po=Ec（2）/8RL，其中Ec为OTL输出级供电电压（此处来源于电子基本公式：电功率=电压×电流）。当OTL电路一臂导通时，其输出电压即为供电电压Ec。所以将Ec表示为输出电压有效值OTL推挽输出则为：
　　
　　Po=Ec/2xEC/2RLx(1/2)=Ec（2）/8RL，上述基本公式为导体中电压、电流、电阻的基本关系式，在计算中忽视了器件的死区电压和饱和压降，所以半导体器件完全作为固体导电进行估算的，既不顾及线性等因素，所以也无须有所谓最佳负载之限制。
　　
　　电子管的导电特性有气体电子导电之特点，其电压特性，电流并不符合固体导电的关系。以A类输出功率计算为例：电子管A类输出功率P。=△Uax△Ia/8，此式中△Ua和△la为电压和电流的变量，系指输入栅极信号在峰值小于栅负压的情况下产生的电压和电流变化。为了限制动态特性不进入非线性曲线部分，要求负载阻抗应为ZL=△Ua/△Ia，即最佳负载。

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