MOSFET管的种类与结构

　　
　　N沟道增强型MOSFET的结构剖面图如下图所示，用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅（Si02）绝缘层，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，并用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G（栅极）、S（源极）及D（漏极）。

　　从图中可以看出：衬底与S极在内部连接在一起，G极与D极、S极之间是绝缘的。另外，D极与S极之间有一个PN结，即D极和S极之间有一只寄生二极管。这只二极管常称作体二极管，在驱动感性负载（如电机）时，这只二极管就显得很重要。
　　
　　为了改善MOs管的某些参数特性，如提高工作电流，提高工作电压，降低导通电阻，或提高开关特性等，这时会在结构与制造工艺上有所变化，从而得到所谓VMOS、DMOS、TMOS等结构。
　　
　　值得一提的是，由于制造工艺的问题，MOs管的三个管脚之间存在寄生电容。MOs管的驱动，实际上就是对寄生电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因此在选择或设计MOs管的驱动时，要确保其能提供较大的瞬间充电电流。

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