MOSFET管工作原理

　　要使增强型N沟道MOSFET管工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS、才会产生正向工作电流ID，如下图所示。

　　
　　若先不接VGS电压，即VGS=0V，在D、S极间加一正电压VDS、漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此D、S极不导通。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS，此时可以将G极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，此时的P型衬底常称作反型层。
　　
　　当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，这时D、S极间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通，从而形成N沟道。这个临界电压称为开启电压（又称阈值电压、门限电压），用符号“VT”表示（一般规定在ID=10VA时的VGS为VT）。若VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，导通电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系，如下图所示。因此在一定范围内，改变VGS可控制D、s极间的导通电阻，达到控制ID的目的。

　　
　　从上面分析可知，由于这种结构在VGS=0V时，ID=0，因此称这种MOSFET管为增强型。对于耗尽型另一类MOSFET管而言，在VGS=0时，ID并不为。。
　　
　　对于增强型P沟道MOSFET管工作，要在G、S之间加上负电压，即VGS小于0V，并在S、D极之间加正电压，才会产生正向工作电流。
　　
　　提示：不管是NMOS管还是PMOS管，导通后都存在导通电阻，这样电流就会在导通电阻上消耗能量，这部分能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOs管会减小导通损耗。现在的功率率MOSFET管导通电阻均很小，一般为几毫欧姆或几十毫欧姆。

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