在设计用于笔记本电脑、VRM、电源模块、图形卡、服务器、游戏机的系统电源、POL、低电流DC-DC转换器和同步降压转换器，以及工业系统中的DC-DC转换器时，一般要用到两个独立的MOSFET器件来达到降低导通电阻和提高电流的目的。这样虽然提高了性能，降低了功耗，但无法满足减小器件尺寸和占板空间的要求。因此Vishay、飞兆半导体、Diodes等公司推出了一些将两个MOSFET封装在一个芯片内的解决方案。
如Diodes公司推出的ZXMC10A816采用SO8封装，包含一对互补100V增强式MOSFET。这个N通道和P通道组合的MOSFET能够代替采用SOT223及DPak (TO252) 封装的同等器件，有助减省电路板空间及元件数目，同时简化栅极驱动电路设计。SO8封装的占位面积为31 mm2，仅为两个SOT223 MOSFET的30%。
飞兆半导体的互补型40V MOSFET器件FDD8424H在双DPAK封装内集成一个P沟道高边MOSFET和一个N沟道低边MOSFET，因而容许器件内共漏连接，从而简化电路板布局并缩短设计时间。与采用8引脚直插和双SOIC (SO8) 封装的解决方案相比，双DPAK封装FDD8424H的热阻抗分别是其五分之一及十分之一。
Vishay公司今年推出的SiZ700DT采用了6 mm×3.7mm的新型PowerPAIR封装，集成了一对采用TrenchFET技术的不对称功率MOSFET，可同时提供低边和高边MOSFET，同时保持了低导通电阻和高最大电流的特性，比使用两个分立器件的方案节省了很多电路板空间。PowerPAIR的厚度为0.75 mm，比厚度为1.04mm的PowerPAK 1212-8和PowerPAK SO-8封装薄了28%。SiZ700DT经过了完整的Rg测试，符合RoHS和无卤素规范，其内部电路如下图所示。
SiZ700DT的内部电路图
常规双MOSFET的PowerPAK 1212-8的导通电阻大约是30mΩ，最大电流不到10A，因此不是可行的方案。单MOSFET的PowerPAK 1212-8的导通电阻大约为5mΩ。SiZ700DT中低边沟道的MOSFET具有类似的导通电阻，在10V和4.5V电压下的导通电阻分别为5.8mΩ和6.6mΩ，在+25℃和+70℃温度下的最大电流分别为17.3A和13.9A。除此以外，高边沟道的MOSFET在10V和4.5V电压下的导通电阻分别为8.6mΩ和10.8mΩ，在+25℃和+70℃温度下的最大电流分别为13.1A和10.5A。这些指标令设计者能够用一个器件替代原先的两个器件，节省成本和空间，包括两个分立MOSFET间的空隙和标识面积。在一些更低电流和更低电压的应用中，甚至可以用PowerPAIR器件替换两个SO-8封装的MOSFET，至少能够节省三分之二的空间。
由于两个MOSFET已经在PowerPAIR封装内部连接上了，电路板的布局会更加简单，PCB走线的寄生电感也减小了，提高了系统效率。此外，SiZ700DT在引脚排列上了优化，这样在一个典型的降压转换器上，输入引脚被安排在一侧，输出引脚是在另外一侧，进一步简化了电路板布局。
SiZ700DT的性能参数
与其他封装相比，SiZ700DT所采用的PowerPAIR封装的占板面积更小，导通电阻和电流的性能则相差不大，尤其是封装的热阻很小。PowerPAIR与其他封装的对比参加表1，SiZ700DT的性能参数见表2，封装的热阻性能见表3。
表1，参数比较
双MOSFE封装的优点
Vishay公司的应用工程师Steven Shieh说，电源产品走向“轻薄短小”已成一个趋势，将两个MOSFET封装在一起，不仅能将电源模块体积缩小，更能减小寄生电感以提升效率，若从可靠性与生产的角度来看，比单颗分离的产品更好。目前业界有很多封装与产品都是利用这种概念，如SO8/dual，PowerPAK-SO8/dual。Vishay方案除以上提出之优点外，更能让工程师减少PCB灌孔损耗，实现直进直出电路走线的好处。
设计双MOSFET封装主要考虑硅片内部打线的方便性，才能达到最大效益，两个MOSFET器件间的干扰与散热可以通过引线框的设计去抑制。SiZ700DT除了具备低热阻(散热快)的封装特性外，由于高边MOSFET与低边MOSFET各有不同的参数要求，SiZ700DT内部的高边MOSFET和低边MOSFET
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