在正向导通的大部分区域内,ic与Uce呈线性关系,此时IGBT工作于放大区内。在伏安特性明显弯曲部分,ic与Uce呈非线性关系,此时IGBT工作于饱和区。在实际电路中,IGBT多工作在饱和或关断状态。若IGBT工作于放大状态,则IGBT的损耗将会大幅上升。
IGBT的转移特性是指集电极电流Ic与栅射电压UGe之间的关系曲线,如下图所示,它与MOSFET的转移特性相同,当栅极电压小于开启电压UGe(th)时,IGBT处于关断状态;当UGe>UGe(th)时,IGBT导通,在IGBT导通后的较大ic电流范围内,ic与UGe呈线性关系。
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