IGBT管栅极特性

　　IGBT是一种高阻抗电压控制型器件，其栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。正常工作时，栅极与发射极间只有微安级的漏电流。由于氧化膜很薄，其击穿电压一般为20V～30V。因此，栅极击穿是IGBT损坏的常见原因之一。
　　
　　在实际应用中，虽然栅极驱动电压没有超过栅极最大额定电压，但栅极连线的寄生电感和G、c极间的寄生电容会产生振荡电压，易损坏氧化层。为减小这种现象的发生，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减小寄生振荡，同时在栅极连串联电阻RG，在G、e极间连接RC阻尼滤波器，以抑制振荡，如下图所示。
　　
　　值得一提的是，栅极串联电阻RG对IGBT的驱动有较大影响：若RG较小，G、e极之间的充放电时间常数较小，会使导通瞬间电流较大，从而损坏IGBT；若RG较大，虽有利于抑制寄生振荡，但会使脉冲波形的前后沿变缓，增加IGBT的开关时间和开关损耗。

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