IGBT管的闩锁

　　只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区。

　　为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施：

　　防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别。

　　降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。

　　此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。因此，器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1：5。

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