电容Ca1、Ca2应选用高频低感圈绕聚乙烯或聚丙烯电容，也可选用陶瓷电容，容量为2nF左右。虽容量选大一些，有利于浪涌尖峰电压的抑制，但过大会受到放电时间的限制。电阻Ra1、Ra2应选用氧化膜无感电阻，其阻值的确定要满足放电时间明显小于主电路开关周期的要求，可按R≤T/6C计算，T为主电路的开关周期。二极管VD1、VD2应选用正向过渡电压低、逆向恢复时间短的二极管。
常见的放电阻止型吸收电路如下图所示，电容CS的放电电压为电源电压。在每次IGBT关断时，CS将上次关断电压的过冲部分能量回馈到电源，减小了吸收电路的功耗，但这类电路的电压吸收能力不如上述RCD充放电型。
本文关键字：暂无联系方式器件命名及常用参数，元器件介绍 - 器件命名及常用参数
上一篇：IGBT的过热保护
