在对Flash存储器件进行写操作后的某一段时间内(从几十μs~几百μs),对它进行读操作是不能读出一个确切值的,这是Flash存储器件的一个特性。本设计中程序和数据存放在同一个AM29LV040 Flash存储器中。在对Flash存储器进行写操作时,要不断地从其中读出进行写操作的程序指令,然后对它本身进行写操作。微控制器核在20 MHz的时钟频率下,指令周期大约是200 ns,即每隔200 ns左右,SoC就要从Flash存储器中读取一条指令。这显然和上述的Flash存储器特性发生了冲突。
通过对编译环境的设定,可以把进行写Flash操作的函数unsigned char WritEDAta_FLASH (unsigned char * dest, unsigned char *scr, unsigned int len) 和Flash扇区擦除函数unsigned char EraseSector_FLASH (unsigned char sector_index)定位到程序空间的1C00H~1FFFH,并备份到数据空间的0EC00H~0EFFFH。在应用程序的设备初始化函数 void DevICesInit()中,调用加载函数void LoadFLASHOpToRAM(),把对Flash进行写或者擦除操作的这1KB的程序代码从Flash加载到RAM的程序空间。以后凡是涉及到对 Flash的写或者擦除操作,都由硬件逻辑切换总线到RAM去执行这一段程序代码。这样,以不大的RAM开销,解决了不能同时对Flash进行读和写操作的矛盾。函数void LoadFLASHOpToRAM()的代码如下:
#define PROG_RAM_DATA0xEC00
#define PROG_RAM_DATA_PAGE9
staTIc unsigned char xdata RAM_prog[1024] _at_ 0x1C00;
void LoadFLASHOpToRAM(){
unsigned char xdata * p;
FLASH_PAGE = PROG_RAM_DATA_PAGE;
p = (unsigned char xdata *)PROG_RAM_DATA;
mEMCpy(RAM_prog,p,1024);
}
4 总结
本文详细讲述了在基于微控制器IP核PSTN短消息终端SoC设计中软硬件协同设计的方法。在合理划分硬件和软件任务的基础上,使设计更好地达到了系统性能的要求。
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