⑵21世纪微波单片集成电路模块结构
微波单片集成电路发展很快，已经形成模块结构。下面给出21世纪初MMIC模块的结构示意图。
芯片 <wbr>—— <wbr>多学科高端技术的结晶1（转）
图15 一个MMIC 模块示意图
（复印自2003 IEEE MTT-S Digest.pp.567-570.
中译名《一种新型共面有源相控阵雷达模块的构建和连接技术》）
天线就在各个单元的顶部，单元总厚度为毫米量级。在一些隐身飞机机翼或机载、星载雷达系统中，数万个T∕R （发射／接收）模块组成有源相控阵。
该文章几乎没有给出任何有用的具体数据。但是，提到了高功率情况，需要液冷。文章给出了每层衬底的厚度为 200 微米，介电常数 8.6 。材料为一种高导热率的氮铝化合物。文章给出测试数据的频率是 10吉赫（GHz）。
估算了一下，50Ω（欧姆）微带线宽度为220微米。如果输出功率为 1 瓦 ，（趋肤厚度内的）功率密度为 6859瓦/平方毫米，需要实施液冷。
后来，模块化的水平有了较大的提高。出现了下面的结构。
芯片 <wbr>—— <wbr>多学科高端技术的结晶1（转）
图16 一个MMIC 三维结构模块
（复印自Y.Mancuso,European MicrowaveConference 2008 ）
为了使图清晰，厚度方向的尺寸大大拉大了。
欧洲THALES／UMS公司在GaN（氮化镓）微带线工艺基础上的X-波段（3厘米或称3公分）MMIC高功率放大器的一些具体参量：频率
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