即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O），利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。这是MOS大规模集成电路的基础。
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图10 金属-氧化物-半导体晶体管（MOS结构）的原理图
功率晶体管元件符号如下图所示。图中G、D、S分别代表其栅极（铝层）、漏极和源极。功率MOSFET是最重要的一种功率场效应晶体管 。为改善某些参数指标，如提高工作电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等，已开发出各种各样不同结构和工艺的MOS晶体管，如VMOS、DMOS、TMOS等。虽然结构不同，但工作原理相同，不一一介绍了。
其中采用垂直双扩散结构的VDMOS场效应晶体管是一种有代表性的器件，它兼有双极型晶体管和普通MOS晶体管的优点。
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图11 N沟道增强型 MOS 场效应管结构示意图
②电阻、电容、电感
集成电路中的电阻多是利用基区或发射区扩散形成的扩散电阻，即利用扩散区所具有的电阻值来实现。也可以在绝缘层(二氧化硅)的表面上淀积一层金属薄膜形成金属膜电阻（原理结构和市售的一些电阻一样）。
集成电路中的电容，可以利用PN结反向偏置时的结电容；也可采用MOS电容，这是以二氧化硅薄膜作为绝缘介质的平板电容（原理结构和市售的一些电容一样）.
如果设计有电感，集成电路中不可能安装线圈电感，集成电路的导线适当变形即可形成电感。
这些元件，利用集成电路工艺都比较容易制作。
③导线
电路的基础单元还有传输信号的导线。各类信号在传输过程中不应该发生畸变。在早期，单根微带线是最好的选择。在介质基片上附着一条金属“导带”，介质底部也附着一层金属（通常接地）。
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