晶体管

通常将特征频率f_T小于或等于3MH_Z的晶体管称为低频管，将f_T大于或等于30MH_Z的晶体管称为高频管，将f_T大于3MH_Z、小于30MH_Z的晶体管称为中频管。

2．最高振荡频率f_M  最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。

通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率f_α，而特征频率f_T则高于共基极截止频率f_α、低于共集电极截止频率f_β。

（四）集电极最大电流I_CM

集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流I_C超过I_CM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。

（五）最大反向电压

最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。

1．集电极—发射极反向击穿电压  该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用V_CEO或BV_CEO表示。

2．集电极—基极反向击穿电压  该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用V_CBO或BV_CBO表示。

3．发射极—基极反向击穿电压  该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用V_EBO或BV_EBO表示。

（六）反向电流

晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流I_CBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流I_CEO。

1．集电极—基极之间的反向电流I_CBO  I_CBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。I_CBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。

2．集电极—发射极之间的反向击穿电流I_CEO  I_CEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。

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