要使晶闸管导通，除了加正向阳极电压外还必须在控制极和阴极之间加触发信号。提供触发信号的电路称为触发电路。触发电路应满足以下几个条件：
（1） 触发脉冲信号发出的时刻，必须与主回路电源电压的相位具有一定对应的控制角关系。并有足够的移相范围。
（2） 触发脉冲有足够大的电压和电流，一般触发电压为4~10V。
（3） 触发脉冲应有足够的脉宽，以保证晶闸管触发可靠性。脉宽最好在20~50us之间，一般不小于10us。
（4） 触发脉冲应具有陡峭的上升沿，以保证触发时间的准确性，最好在10us以下。
（5） 没有-触发时，触发电压应尽量小，以避免误触发。一般应小于0.15V。
9．2．1 单结晶体管的结构与工作原理
1． 单结晶体管的结构和等效电路
单结晶体管又称为双基极晶体管，其内部结构示意图如图９．６（a）所示。在一块N型半导体基片上制成一个PN结，从P区引出发射极E，在N型基片两端各引出一个接触电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2 。图９．６（b）为单结晶体管的图形符号。
图９．６单结晶体管
图９．６（c）为单结晶体管的等效电路，PN结等效为二极管D，R BB 为B1 和B2 之间 硅片本身的体电阻，RBB =RB1 +RB2 。 RB2 为上部基区体电阻，其值为一常数，约为（2—15）ΚΩ；RB1为可变的下部基区体电阻，E、B1 间的电阻RB1 受E、B1 间电压的控制，等效为可变电阻。PN结未导通时，RB1 为数千欧姆，一旦PN结导通，RB1 则下降到几十欧姆。
2． 单结晶体管的工作原理和特性曲线
单结晶体管的发射极电流 与E、Ｂ１ 间电压 的关系曲线称为单结晶体管伏安特性曲线，特性曲线的测试电路如图９．７所示，方框内为单结晶体管的等效电路。
图９．７ 单结晶体管特性曲线的测试
式中 
称为单结晶体管的分压比，其大小由管子的结构决定，一般在0.3~0.9之章单结晶体管的主要参数之一。
单结晶体管的伏安特性曲线，如图9．7所示，可分成3个区域：
（1）截止区：当电压 UEB1<UA+UD(on)时，二极管D处于反向偏置，电流 iE 很小，故称这段区域为截止区。
（2）负阻区：当 增加到PN结开始导通的峰点电压 UP时，即 ，
二极管D导通。此时，空穴浓度很高的P区向电子浓度很低的N型基区注入大量空穴载流子，使 RB1减小，由式（９．２）可知，UA下降，iE增大。而UA的降低，又使PN结正偏增加，iE的增大使RB1进一步减小直至Ｖ点，形成正反馈，即出现了如PV段所示特性。由于动态电阻 为负值，故PV段称为负阻区。V点电压UV称谷点电压，电流IV称为谷点电流。
（3）饱和区：达到V点以后，当iE增加时，UEB1也有所增加。这是由于P区扩散到N区的空穴浓度已达到饱和程度，RB1不会继续减小，恢复正阻特性。所以把V点以后的区域称为饱和区。
9．2．2单结晶体振荡电路
单结晶体管触发电路如图9.8（a）所示。电源UBB和RW、C构成充电回路：RW、C和单结晶体管E、B1结形成放电回路。设电容C的初始电压为零，加上电源UBB后，电源通过RW对电容C充电，uC按时间常数 的指数曲线上升。当电容两端电压 时，单结晶体管导通，电容通过内阻RB1和R1放电，电容电压下降，并在R1上产生一个输出电压脉冲，由于R1很小，放电过程很快完成，所以输出脉冲很窄。当 时单结晶体管截止，电源再次对C充电。这样周而复始形成振荡，输出周期性的尖脉冲，如图9．8（b）所示。
图９．８单结晶体管振荡电路
调节可变电阻RW，可改变充电时间，即改变脉冲周期。脉冲周期
可近似表示为
… (9．3)
脉冲宽度为
… (9．4)
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