上图是两种CMOS的输入模型，如4001，74HC00，74HCTl38等。D1～D4是输入保护二极管，R1是保护电阻，也就是说输入信号只能限制在Vdd+0.7V～Vss～0.7V之间，避免击穿M1．M2的栅极。但是瞬间的电压突变，二极管来不及反应，毛刺电压仍能传到栅极，所以使用者仍需要防静电。信号过大或先加信号都会使D1或D2正偏。
二极管正偏电流太大（大于1mA）可能触发内部的寄生可控硅结构，造成所谓的“CMOS锁定效应”而损坏电路。为此要先加电源后加信号，先关信号，后关电源，避免D1，D2正偏。
CMOS输入阻抗很高，可以看作一个10PF的电容器。如果测试时发现“吃信号”现象，插上集成电路输入信号幅度就变小，肯定有问题。可能的原因是：集成电路电源或底线没有接好，集成电路输入端击穿。
CMOS输入的低电平规定是小于30%电源电压(1.5V)，高电平是高于70%电源电压(3.5V)-般在2.5V为分界线但不一定是2.5V，也可能是2V、3V。如果一片TTL电路输出带CMOS，TTL电路输出高电平3.5V，静态时大多数CMOS是能认识高电平的，但是这时CMOS内M1PMOS弱导通，M2NMOS强导通，CMOS有不必要的电流。所以最好是外接一个4.7kΩ上拉电阻。在频率较高情况，波形在高电平持续时间显然少于低电平期间，会造成波形失真甚至丢失，上拉电阻尤其有用。从下图可以看到CMOS反相门的输出失真。
在上图左边的74HCTXX类型电路成功的解决这个问题，将输入阈设置在1.5V，0.8～1.5V为可能低电平范围，1.5～2.OV为可能高电平范围。
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