图26晶体变换器的印刷电路基板
图26所示的为晶体变换器的印刷电路基板。由于为VHF频带，可以使用纸树脂基板。对于高频率放大电路与频率变换电路的输入出端，利用接地铜箔隔离，以达到隔离效果。 虽然输入频率fs与所需要的输出频率人fIF的频率为不同，但是，也不要将输入与输出太接近。
▲局部振荡频率的调整 首先，对于局部振荡电路的晶体振荡电路与频率倍频(×2)做调整。此为如图27(a)所示，将频率计频器连接在T6的TP端子，调整T5与T6的铁芯，使频率成为68MHz(X1＝11.333MHz)或72MHz(X2＝12.000MHz)。由于铁芯的位置不同，而可能成为2倍或3倍，必须注意调整。
(取出正确的2倍频输出)
接着，将计频器从TP端子取下，连接高频棒测试棒(第8章介绍的制作品)，再调整T5与T6，使输出成为最大。 对于局部振荡电路的调整，也可以如图(b)所示，使用DIP-Meter(在第3章制作)。使用夹线(Clip）等作成1～2圈数的线圈，从TP端子取出fosc将Dip-Meter的转盘指示在68MHz或74MHz附近，调整T5与T6的铁芯，使Dip-Meter的指示计摆振至最大。 调整CT，使输往频率变换电路3SK73的G2的注入电压约为0.5～1V。 ▲高频率变换电路与频率变换电路的调整 在与主接收机连接的接收状态下，如图28所示，连接信号产生器SSG。 然后，设定SSG频率为122MHz，调整T1的铁芯，使谐振点为122MHz(晶体频率X2时，主接收机的频率为50MHz)。再将SSG的频率设定为124MHz(主接收机的频率为52MHz)，调整T4铁芯，使谐振点成为52MHz。 使用同样方法，使T2谐振频率为120MHz，T3为124MHz。以上的调整为做2～3次反复调整。
(一面观察主接收机的S电表，一面调整铁芯，使S电表指示摆振为最大。)
所制作的晶体变换器的特性 ▲VG2S与电功率放大率的测试 图29所示的是VG2S从0～4V变化时的电功率放大率变化与高频率放大电路的FET漏极电流变化的情况。此处的电功率放大率是包含至频率变换电路为止的数据。 VG2S＝0V时的电功率放大率为32dB，VG2S＝4V时为43dB，放大率的调整量为11dB。漏极电流的最大值为18mA，漏极损失PD=18×6＝108mW，没有超过最大损失值。
图29 FET的VG2S改变时的Gp，ID特性(随着VG2S的电压变化，电功率放大率变化为30～44dB。主接收机的感度低，也可以使用。)
▲接收频带范围的测试 图30所示的为频率从116M～130MHz为止变化时的电功率放大率。在中心频率的122MHz与边源的130MHz，感度差为11dB。可是，在实际接收Air Band时，也不太感觉出其边端的差异。
图30晶体变换器的接收频率与电功率放大率(由于频带宽为14MHz，因此，在频带内的电功率放大率差为11dB。使用上没有什么问题。)
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