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用分立元件仿制STR4211H厚膜电路

用分立元件仿制STR4211H厚膜电路

点击数:7586 次   录入时间:03-04 11:52:37   整理:http://www.55dianzi.com   小改-小革
  以STR4211H厚膜电路为例,介绍用分立元件仿制方法,其中,VT1可选用D208、D1942、DF104C。VT2可选用3DA87D,3DG415等。VD3可选用2SA778、3CG160G。
  
  选择代换管的要求是:VT1要求PCM≥50W,BVCBO≥1200V,开关特性好,饱和压降小。VT2要求Pcm≥0.5W,BVCBO≥180V。VT3要求Pcm≥0.2W,BVCBO≥180V。基准稳压管其标称稳压值为7V,但可在6.8~7.2V之间选择,其稳压曲线要陡峭,一般选用H27、2CW56、2CW72或2CW15等。电阻按图中标注的阻值,选择0.5W金属膜电阻。为了调整方便,将R2改为可变电阻,以便对输出电压作必要的调整。调试时,先断开机内负载,在电源输出端与地之间接入一只330Ω/50W的绕线电阻作假负载,调R2并监视输出端电压,当电源输出的直流电压调制110V左右,再在电源进线端接入调压器,缓慢升压。转动调压器观察交流电压在150~250V范围内变化,若输出的直流电压能保持稳定,则去掉负载,上机通电试验。


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