IGBT模块GE间开放状态下外加主电路电压的应对方法

　　在门极-发射极间开放的状态下外加主电路电压，会使IGBT自动导通，通过过大的电流，使元件破坏。请务必在G-E之间加入信号的状态下驱动。（这种现象是由于G-E间在开放状态下，外加主电压，通过IGBT的反向传输电容Cres给门极-发射极间的电容充电，使IGBT导通而产生的。）
　　在产品入库试验时，通过旋转开关等机械开关进行信号线的切换，由于切换时G-E间瞬间变为开放状态，可能产生上述现象而破坏元件，请加以注意。另外，在机械开关出现振动的情况下，也存在同样的时间段，可能破坏元件。为了防止这种破坏，必须先将主电路（C-E间）的电压放电至0V，再进行门极信号的切换。另外，对由多个元件（一组2个以上）构成的产品在进行入库试验等特性试验时，测试元件以外的门极-发射极间必须予以短路。
　　下图为通态电压测试电路的范例。下面通过该电路图说明测试顺序。首先门极电路（GDU）设定为关断状态（V_GE=0V），导通SW₁并在C-E间外加电压。然后，从GDU开始，向G-E间外加既定的正向偏压电压，使IGBT通电，测试通态电压。最后使门极电路变为关断状态，关断SW₁。按照这个顺序可以不破坏元件，安全地进行产品的特性测试。

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