IGBT模块是否破坏可以通过晶体管特性测定装置（晶体管特性曲线描绘器（下称CT）），对以下项目进行检查从而判定。
①G-E间的漏电流
②C-E间的漏电流
（必须使G-E间短路）
另外，除了CT以外，也可以使用万用表等用来测量电压和电阻的装置，从而简单地判断故障。
1、G-E间检测（上述①）
如下图所示，使C-E间处于短路状态，测定G-E间的漏电流或电阻值（请不要在G-E间外加超出±20V的电压。使用万用表时，必须确认其内部的蓄电池电压在20V以下。）。
如果产品正常，漏电流将变成数百nA级（使用万用表时电阻数十MΩ～无限大）。除此以外的状态下，元件已经破坏的可能性很高（一般情况，如果元件破坏，G-E间将处于短路状态）。
2、C-E间检测（上述②）
如下图所示，让G-E间处于短路状态，测定C-E间（连接方式为集电极为+，发射极为-。如相反，则FWD导通，C-E间将短路）的漏电流或电阻。
如果产品正常，漏电流将处于说明书中记载的ICES最大值以下（使用万用表时电阻数十MΩ～无限大）。除此以外的状态下，元件已经破坏的可能性很高（一般情况，如果元件破坏，C-E间将处于短路状态）。
※注意
绝对不要对集电极-门极间进行耐压测试。
这可能导致集电极-门极间形成密勒电容部分的氧化膜的绝缘破坏。
本文关键字：晶体管 电源类故障，维修资料 - 电源类故障
