void_low_level_init(){WDTCTL=WDTPW+WDTHOLD]
如果上述初始化函数在开发环境中也不可用，那么可以修改在每一个C程序之前的启动文件。当初始化MSP430F4xx系列的大量初始化代码时，可以在初始化或启动文件中配置LF×T1晶振电容，这样即可在主程序开始执行之前提供给晶振所需要的更多起振时间，使晶振稳定，参考2．1节。
2.7 支持在线编程（ISP)
如果使用MSP430微控制器的ISP功能对FALSH存储器进行擦写操作，为确保正确读写正常，需注意以下几点：
(1)设置正确的FLASH擦写时频率Fftg值，否则烧写的结果是不可预知的。
(2)当ISP操作完成后设置FALSH锁定位，防止意外的程序干扰写入。
(3)注意FALSH模块的累积编程时间。
(4)提供足够的VCC电压，FLASH烧写电压VCC值必须比数据手册中最小的烧录／擦除电压大，比CPU工作电压要求略高。
在进行FLASH烧录时，可能在上电过程中会受到电压的干扰，也可能在供电电池电压不足(但是还可以维持CPU工作时)时受到干扰，甚至当初始电压足够高，但是当开始进行FLASH擦写电流消耗较大，将电压拉下使其小于最小阈值电压。
VCC电压可以通过SVS或ADC模块校验。SVS模块优势在于在操作过程中可以提供连续检测，在进行FLASH擦写之前如何配置SVS模块监测VCC电压可参考2.5讲述的mclk．c程序。
2．8使用校验和功能校验Flash的完整性
在一些关键性的应用方案中，周期性地执行校验和功能可以确保FLASH存储器的完整性。根据冗余数据的需要，校验值可以存储一个或多个存储器内，同时校验值提供的的校验图表可以作为处理错误发生进行处理的依据。
3结束语
本文所讲述的MSP430微控制器的编程方法与编程过程中的注意事项是作者多年在MSP430开发产品过程中的一些经验之谈，遵循这些原则可大大提高产品的可靠性。
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