晶体管共发射极电流增益多大为好

　　共发射极电流增益hfe是晶体管的主要参数之一。对于小信号晶体管来说，hfe可以从数十倍到数百倍。从放大电路开环增益的角度考虑，晶体管的hfe越大则开环增益就越高，因此选用hfe高的晶体管将有利于提高单级放大器的开环增益。
　　
　　但是在过去，由于晶体管的制造水平的限制，所以hfe大的晶体管不仅很难制造，而且极容易产生自激振荡，因此其放大电路中多采用hfe为50~80的晶体管，这样就极大地限制了晶体管放大电路的性能。这样的参数选择一直保留在电子技术基础的教材中。
　　
　　随着晶体管制造技术的提高，小信号晶体管的hfe轻而易举地超过100、达到200以上也是常见的，最重要的是这种高hfe的晶体管不会造成放大电路的自激振荡。放大电路中晶体管的hfe选择为150~200，则相同电路的开环增益就可以提高3倍左右，即使按100选择，也会明显提高晶体管放大电路的性能。

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