MOS-FET晶体管是一种通过表面静电感应来控制沟道电导的电压控制器件，与双极性晶体管相比具有以下优点：
当栅源电压固定时．MOS-FET的漏极电流温度系数是负的，即管子的输出功率随温度的升高而下降，使MOS-FET从原理上消除了热不稳定性二次击穿的问题。MOS-FET管的跨导是不随栅源电压变化的恒定值，可以获得线性功率放大：MOS-FET管输入阻抗高，是电压控制器件，这使输入电路的功耗大大减小：总耗散功率大，漏源工作电压可高达100V以上：MOS-FET功率开关器件具有较快的开关速度。
金属氧化物半导体场效应管按工作方式分为增强型和耗尽型两类，而每类又分为N沟道和P沟道。N沟道的场效应管的衬底为P型材料，增强型的MOS-FET的栅偏压为正，耗尽型的栅偏压为负。
在全固态广播电视发射机中．其高频功率放大器的功放管多采用的是N沟道增强型的MOS-FET。
N沟道增强型MOS-FET在工作时．其栅源电压VGs和漏源VDs均为正向电压。当栅源电压VGs=O(或<o)时．虽然漏源电压VDs为正，但电流不能导通，故漏极电流lD=o，MOS-FET处于截止状态。当栅源电压Vcs>0时，并且Vcs>VT(VT为MOS-FET开启电压)．加上漏源电压Vus后就会产生漏极电流ID，且VGS越大．1D也就越大，实现了vcs对ID的控制作用。
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