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并联推挽源极跟随器/4并联推挽源极跟随器电路的应用

并联推挽源极跟随器/4并联推挽源极跟随器电路的应用

点击数:7123 次   录入时间:03-04 11:54:00   整理:http://www.55dianzi.com   接口电路

并联推挽源极跟随器

如图1所介绍的功率放大UC3843BN电路中,当必须的输出电流超过输出级所用MOS-FET的额定值时。如图1所示,可以将多个源极跟随器并联接续,由各源极跟随器分散提供电流。
      源极跟随器并联接续时必须注意的问题是并联接续FET的VGS要一致(图1中的Tr1与Tr3、Tr2与Tr4的VG。)。否则的话,就不能从各器件中流过均等的源极电流。特别是由于FET的VG。与晶体管的VBE不同,分散性很大,所以并联接续的FET不仅要求器件VG。的档次相同(功率MOS中不是按照IDSS而是按照VGS分档的),而且必须在mV量级上一致。

4并联推挽源极跟随器电路图

如图2所示,该电路当并联接续的源极跟随器数目较多时,不仅要求VGS -致,还必须强化驱动MOSFET的电路。功率放大用MOSFET的输入电容很大,如果并联接续的器件多,那么用简单的电路就难以驱动MOSFET的输入电容。
   如图2 的电路中,在OP放大器后面插入了射极跟随器以强化对MOSFET的驱动能力。




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