VCOMP 引脚上的电压可以用于设定电流放大器的增益和PWM 斜坡的斜率，经过缓冲后电压要通过增强动态响应(EDR) 和SOC 的调制。
当然，VCOMP 引脚上的电压发生变化时，电流放大器的增益和PWM 斜坡的斜率还要依据不同系统的工作状态(交流输入电压和输出负载水平)进行适当的调节，以提供低谐波畸变、高功率因数的输入电流跟踪输入电压而呈现正弦波形。
设UOUT(OVP) 为超过5%额定电压的输出电压，该值将会导致VSENSE 引脚上的电压超过5. 25 V(5 V 参考电压的+ 5%)的门限阈值(UOVP)，从而导致输出过压保护(OVP) 动作并关闭GATE( 引脚8)输出;只有当VSENSE 引脚上的电压低于5. 25 V 时，栅极驱动GATE( 引脚8) 才有信号输出，例如系统的UOUT(OVP) 为420 V，则额定输出电压为400 V。
如果输出电压反馈元件失效而未和VSENSEN输入的信号正常连接，那么电压误差放大器将会加大栅极输出，以达到最大占空比。为防止此类现象，芯片内部的下拉作用迫使VSENSE 引脚电压降低，如果输出电压降至其额定电压的16%，则会导致VSENSE 引脚电压低于0. 8 V，芯片将处于待机模式。该状态下PWM 开关处于暂停状态，但芯片仍处于工作状态，只不过待机电流低于3 mA。设计者也可以利用这种关断特性，通过外部开关，实现VSENSE 引脚电平的拉低。
2. 5 EMI 滤波器与噪声抑制
高频开关电源产生的电磁干扰(EMI)主要以传导干扰和近场干扰为主，电磁干扰又有共模干扰和差模干扰2 种状态。EMI 滤波器是目前使用最广泛、也是最有效的开关电源传导干扰抑制方法之一，其不但要抑制共模干扰，也必须抑制差模干扰。图4 给出了所设计的EMI 滤波器。它接于电源输入端与整流器之间，内含共模扼流圈L2和滤波电容C1 ～ C4。共模扼流圈也称共模电感，主要用来滤除共模干扰。它由绕在同一高磁导率上的2 个同向线圈组成，可抵消差分电流，其特点是对电网侧的工频电流呈现较低阻抗，但对高频共模干扰等效阻抗却很高。C2和C3为Y 电容，跨接在输入端，并将电容器的中点接地，能有效地抑制共模干扰，其容量约为0. 002 2 ～ 0. 100 0 μF;C1和C4为X 电容，用于滤除差模干扰，其典型值在0. 01 ～ 0. 47 μF 之间。
图4 EMI 滤波器。
UCC 28019 的驱动能力很强，可以提供最大1. 5 A 的门极快速驱动。但是，高速驱动脉冲也带来了比较大的EMI 问题，适当地在门极添加驱动电阻，减缓驱动脉冲的di /dt，可以降低变换器产生的开关噪声，从而对前级的EMI 滤波器的要求也相应降低。
PFC 升压二极管的反向恢复特性是导致系统传导和辐射干扰的主要因素，在一定程度上加剧了系统EMI 滤波器的负担。不仅如此，功率开关管在其导通期间必须吸收所有的反向恢复电流，也必须将由此导致的额外功率消耗掉，这不仅提升了噪声干扰，而且也会影响系统的效率。传统型单相功率因数校正主电路中的二极管是快恢复硅二极管，其材料是硅，而硅的反向耐压能力低。
与硅材料相比，碳化硅( SIC) 材料在性能上更适合制造电力电子器件，因为其具有反向耐压高、导通电阻小、导热性好，以及承受反向高压时泄漏电流小等优点。目前，以SiC 为材料的SiC 肖特基二极管在电压容量上已经取得突破，电压容量已做到600 V，满足单相功率因数校正的主电路对二极管400 V 的耐压要求，且SiC 肖特基二极管的反向恢复特性与快恢复二极管相比，更快、更软。因此，选择SiC 肖特基二极管作为该系统的升压二极管，以减小二极管反向恢复所引起的传导和辐射干扰;同时，在升压二极管上并联RC 网络，也能取得较好效果。
3 试验
根据上述理论，设计了一台350 W 的单相功率因数整流器，其各项保护措施如软起动，VCC欠压锁定、输入掉电保护、输出过压保护、开环保护/待机模式、输出欠压检测、过流保护、软过流、峰值电流限制等都非常齐全，主要实验参数为:输入电压为AC 220 V/50 Hz 的工频电源，输出电压为390 V，开关频率为50 kHz，高频输入滤波电容C5 = 0. 47 μF，Boost 升压电感值L3 = 1 mH，输出滤波电容Co = 470 μF，电流检测电阻RS选取阻值为0. 067 Ω，由3 个阻值为0. 2 Ω、功率为1 W的无感精密电阻并联而成，电流检测信号滤波电容C7 = 1 000 pF，滤波电阻R5 = 221 Ω。
单相功率因数整流器的栅极驱动Ug的试验波形如图5 所示。输入电压Uin和输入电流Iin的试验波形如图6 所示。由图6 可见，输入电流能很好的跟踪输入电压。对输入电压和输入电流的前50 次谐波分析可知，在输入电压的总谐波畸变率(THD)为4. 61%时，输入电流总谐波畸变率仅为4. 53%，功率因数可以达到0. 993，因此，可认为该功率因数器实现了单位功率因数的校正和低电流畸变。与传统功率因数校正电路(UC 3854控制的PFC 电路) 相比，该功率因数整流器的设计步骤简化了许多，减少了元器件的数量，也缩小了印刷电路板的尺寸。
图5 栅极驱动Ug的试验波形。
图6 输入电压Uin与输入电流Iin的试验波形图。
4 结语
基于CCM PFC 芯片UCC 28019 设计了一种新型单相功率因数整流器，所需的外围元器件少，大大减小了PFC 控制板的面积。对单相功率因数整流器的主要模块进行了详细分析与设计，并采用了一种新型薄铜带工艺绕制的Boost 储能电感，有效地减小高频集肤效应，改善Boost 变换器的开关调制波形，降低磁件温升等。通过理论分析与试验验证，该功率因数整流器拓扑结构简单、实用，且性能可靠，实现了单位功率因数校正和低电流畸变，具有较高的应用价值。
本文关键字：整流器 整流电路技术，电源动力技术 - 整流电路技术
