此电路采用常规的10A/400V三端双向可控硅，并配有dv/dt缓冲电路来切换加到负载的电源线的功率。可是，在接通三端双向可控硅时，则使用非常规的栅极控制电路。三端双向可控硅的栅电流流经左边的整流桥、15V齐纳二极管、敏感的可控硅整流器Q2和电阻R2。此电路使小型可控硅整流器控制流经三端双向可控硅栅极端的交流电流。控制可控硅整流器栅极端所需的电压通过对跨接在三端双向可控硅上的交流电压整流和滤波来产生。电容C2、C4和C5，电阻R3，右边的整流桥和齐纳二极管D2形成整流电路。C5和D2对电源电压滤波，并把它限制到8V左右，而电阻R3限制充电电流。在关闭状态时，跨接在三端双向可控硅上的交流电压等于市电电压。在常规电路中，跨接在三端双向可控硅上的电压在开启状态时只有几伏。
为了产生稍高一点的电压，达到30Vp-p，可插入一个15V的齐纳二极管D1，与可控硅整流器串联在一起。D1用来延迟三端双向可控硅导通触发点（每半周），而加到负载的功率只是略有降低。由整流电路产生的直流控制电压用一个灵敏的达灵顿式光电隔离器A1切换到可控硅整流器的栅极。完全开启可控硅整流器只需要隔离器中50μA的LED电流。
