小功率JFET管的检测与配对

　　对小功率JFET进行检测，可用普通指针式万用表的欧姆挡进行，如果是参数不明的JFET．勿用高压RxlOk挡进行测试，也不要用只×1挡检测导通电阻，以避免损坏。JFET的输人阻抗较高，但是功率却较小，工作电压也较低，所以必须注意不要在检测中使其损坏。
　　
　　JFET需检测的首先是RDS，应选择Rxl00挡，无论正、反向测试其漏一源极无击穿、开路现象，同时也可依据此电阻值判别漏、源极。因为JFET的漏、源极可以互换，具体哪只脚为漏极，哪只脚为源极并不重要。
　　
　　其次，采用电阻法对栅极与沟道两端漏、源极的检测。栅极到源极和栅极到漏极实际上相当于=极管的一个PN结，可用欧姆表的Rx10挡检测正向电阻，用Rxlk挡检测反向电阻，阻值和一般小电流二极臂相同。检测过程中须注意，某些功率极小、耐压较低的JFET在售出时采用金属箔包装，目的是隔离外界强电场，避免感应电栅极PN结。也有的产品采用的方法是，用一金属片将栅一源极间短路。对这种JFET在打开包装时，勿用手指接触栅极引脚，在测试前暂勿取下短路坏，应先将万用表接八后，再取下短路环；测试后再将短路环还源。这并不说所有JFET都如此不堪一击，实际操作中只要远离较强的静电场（如将工作台上的电视机、显示器关掉)，微波炉、电磁灶等大功率高压电器，检测前用清水洗手，保持手的湿润，消除静电，则可放心检测，一般不会损坏JFET。
　　
　　在某些电路中往往需要两只特性相同的JFET，如并联运用、差动放大器、SEPP驱动级等。选择的参数一是VGS=0v时漏一源极极间电流lDSS，二是VGS对IDS的控制特性有无相似的关系。
　　
　　lDSS的检测很简单，首先将栅一源极短路，以使VGS=0v。然后在漏一源极间将导电沟道极性接人一稳定的固定电压，中间串联接八lOmA左右的电流表。电压值选择并不重要，为安全起见，可用6~12V电压，但要求稳定，以利于对被测管进行比较。为了检测栅极的控制特性是否一致，可给JFET加入不同的V∞值，测出对应的IDS值进行比较。测试方法如图所示。为了避免VGS供电的麻烦，图中利用外加源极电阻Rs得到自给栅偏压，当电路接通后，电流表指示值为IDS，当调整Rs时，IDS随RS阻值作反比的变动。将RS各阻值对应的IDS列表，或画面lDS-Rs关系曲线，即可进行比较各管的控制特性，进行配对。
　　
　　为了使测试结果更准确，也可如图示在Rs两端并联接八数字电压表，检测RS调整时不同的源校对地电压（即栅偏压）。此电压的一端接源极，另一端经共地接栅极，而实质上是VGS，将不同的VGS值与对应的IDS列表、可以进行更精确的比较。当JFET的互导率较1大时，VGS的值只要有O.1V的变动，IDS的变动也十分明显，所以电压表必须用数字表的低电压挡。图中以N沟道JFET为例，如检测P沟道管时需将电池及电表反向接八。
　　
　　此项检测实际上是测试JFET的互导率，为了得到互导率gm值，可进行两次不同RS值的测试，按下式可算出gm值

　　式中下角1、2为两次测量值。得出j的gm单位为mA／V（也称为毫西门子．写作mS）。

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