1．用模拟万用表检测
(1)挡位：检测小功率管用Rx10kΩ挡，测大功率管用Rx1Ω挡，需Ω调零。
(2)方法：对于小功率NPN硅管，用红、黑表笔接触除基极b以外的两个管脚，如果指针偏转，则黑表笔所接脚是发射极e，如果指针不动，则黑表笔所接脚是集电极c：对于小功率PNP硅管，用红、黑表笔接触除基极b以外的两个管脚，如果指针偏转，则黑表笔所接脚是集电极c，如果指针不动，则黑表笔所接脚是发射极e。至于大功率管，都有金属散热片，与集电极c是直通的，用Rx1Ω挡测量哪个管脚与散热器直通即是集电极c。
(3)原理：小功率硅管（小功率锗管大概上个世纪九十年代前使用，目前已经绝迹）有一个基本特点，发射结的反向击穿电压VEBO≤8V，一般其有4V~5V;集电结的反向击穿电压VCBO≥20V。模拟万用表在用Rx10kΩ挡时，内部是一节1.5V电池与9V(或15V)电池串联（其余Ω挡都是用1.5V电池），电压等于10.5V(或16.5V)。见下图，用黑表笔接触NPN管的发射极e的瞬间，发射结反向击穿，集电结正向导通，所以指针偏转；反之，黑表笔接触NPN管的集电极c，集电结反向不击穿，则指针不动。
对于检测PNP管的原理，相信读者根据图2自己可以分析清楚。发射结反向击穿会不会造成三极管损坏呢？电击穿不会，热击穿会。由于使用Rx10kΩ挡时万用表内部串联了16.5kΩ电阻，将流过发射结的反向电流限制在μA级，虽然会电击穿，但短时间内不会造成热击穿（因为反向击穿电流很小，发热也小），而测试一下只要一秒钟时间足矣，所以注意不要长时间地测量，避免造成热击穿。
2．用数字万用袁检测
(l)挡位：hFE。
(2)方法：将NPN或PNP管与万用表上所标示的管座相对应，将基极b插入相应管座，另外两个管脚任意插入e、c管座．数字表显示的数字就是第一个hFE：然后对调两个管脚再测一次，得到第二个hFE．比较两次读数，哪次数字大(差别明显)哪次就是正确插法，管座上对应的e、c就是三极管的发射极e与集电极c。
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