单表法检测MOS场效应管

　　MOS管(即金属一氧化物一半导体场效应管MOSFET)有源栅漏三极分别称SCD。
　　
　　(1)识别栅极。指针万用表R×IK挡，用红表笔固定接某一电极，黑表笔分别接触另两个电极，显示电阻无限大。再用黑表笔接同一电极，红表笔分别接触另两个电极，也显示电阻无限大。该电极为栅G。其原理是因为MOS管的结构中，S、D极之间有一个寄生二极管，总有一个方向是通的。而绝缘栅与S、D之间是高阻的。如下图所示。
　　
　　 (2)测导通电阻兼区分S、D极。指针万用表置于RX10K，S、D极之间总有一个方向是通的，因为有寄生二极管，选不通的方向为准，这时，对NMOS来说，黑D，红S。PMOS反之。然后，指针万用表红笔接S极，黑笔改接G极（实际等于施加+10V的栅极电压，MOS管完全导通，这是即使指针万用表黑笔离开接触G极，绝缘栅电位不变，放电极极慢。下一步，把指针万用表黑笔改接D极，万用表显示完全导通。用手短接一下G、S极，万用表立即恢复不通。
　　
　　P沟道MOS管情况与此类似，只是极性相反而已。
　　
　　如果在测量的第二步，加+10V的栅极电压后，立即改万用表改到RX1挡，可以测出MOS管的导通电阻，大约几欧或零点几欧。显然这种测量技术，数字表反而达不到。

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