双向可控硅的检测方法

　　2、判别好坏与导通性
　　
　　能将万用表置于Rxlk挡，测T1与T2、G与T1之间的阻值，如果阻值很小，说明可控硅已击穿。若测得的G与T2极的正、反向阻值均很大(正常应在数百欧左右)．则说明已断路。

　　判别可控硅的导通能力，可把万用表的黑表笔接T1极，红表笔接T2极。用一节干电池作触发电源(也可用另一只万用表Rx1代替)，这时表针呈导通状，干电池离开仍呈导通状，这是判别T1到T2的导通件能。其原理很简单，于电池的正极接T1，对G假干电池负极形成一个触发电压，电流通路为：从干电池十—T1一G一千电池，形成电流通路被触发，这时万用表也作为一个电源用，负表笔内+—T1—T2一正表笔内一，形成T1到T2的通路。

　　T2到T1的导通性能与此极性相反，町用同样方法进行判别。

　　经验表明，不同型号的可控硅所用万用表的挡位不同，所测阻值也不一样。比如，用Rx100挡不易发现较小阻值时，改用Rx10挡就易发现了。可控硅型号不一样，所测阻值差异较大，比如，在测单向可控硅MCR100时，用万用表的电阻量程Rx1—R×1k挡轮流测量只能出现一个较小阻值(无第二个较大阻值)；叉如，在测单向可控硅FD315M时，用正、负表笔轮流测量时，用Rx100或RXlk捎测时有两个阻值，但不易发现哪个较小，若用Rx1或Rx10挡测就较易发现较小的阻值，用黑表笔确定G极，红表笔确定K极才易找到，所以千万不可死搬硬套。下图是几种可控硅的实测脚位图，供参考。

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