UBE是输入端电压，它必须保证使发射结正偏，产生相应的基极电流lB。输入特性就是研究UBE和lB之间的变化关系。我们当然应该考虑输出端电压UCE的存在会不会影响输入端的特性，实验证明，当三极管处于放大状态时，即集电结处于反偏状态时，UCE的变化基本上不影响输入特性。
在研究PN结时已经了解到，PN结正向偏置时是导通的，而且正向偏压越大，通过的电流也越大，它们之间的关系如下图所示。但要注意“起始电压”和“充分导通时电压降”的存在，所以，PN结正常导通时，正向偏压只能在一个小范围内变动。
对硅材料管来说，大约在0.7V上下，对锗材料管来说，大约在0.3V上下。三极管的输入特性，实际上就是发射结的正向特性，所以UBE和lB之间的关系也就如下图所示。硅材料管UBE必须在0.7V左右，锗材料管UBE必须在0.3V左右。在导通范围内，UBE可以控制IB。UBE升高，IB增大；UBE出现变化，IB则随之有相应的变化。
本文关键字：三极管 元器件特点及应用，元器件介绍 - 元器件特点及应用
