MTP2P50E型高压 p沟道MOSFET的最大漏级-源级标称电压和最大栅极-漏级标称电压均为500V。BUK456800B型 高压n沟道MOSFET的最大漏级-源级标称电压和最大栅极-漏级标称电压均为800V。Q1~Q6都是PMOS晶体管,Q7~Q12均为NMOS晶体管。这些场效应管非常适合用于高压级联电路。它们对称地串联连接起来,以提高它们适用于电源系统的总击穿电压。偏压电路由成对独立的偏置电阻器R10~R13和R14~R17组成,从而形成了高压放大器的对称输出。图2示出了峰-峰电压为8V p-p、频率为100 Hz的正弦输入信号以及峰-峰电压为1800V p-p的输出信号。图3示出了峰-峰电压为750 mV p-p、频率为2 kHz的正弦输入信号和峰-峰电压为200V p-p的输出信号。该电路的总功率带宽大约是200kHz。
本文关键字:放大器 元器件特点及应用,元器件介绍 - 元器件特点及应用