AT89S51片内Flash存储器的特点

AT89S51单片机片内4K字节Flash存储器的基本性能如下：
　　
　　(1)可循环写入／擦除1000次。
　　
　　(2)存储器数据保存时间为10年。
　　
　　(3)程序存储器具有3级加密保护。
　　
　　AT89S51单片机芯片出厂时，Flash存储器处于全部空白状态（各个单元均为FFH），可直接进行编程。若Flash存储器不全为空白状态（即单元中有不是FFH的），应该首先将芯片擦除（即各个单元均为FFH）后，方可向其写入调试通过的程序。
　　
　　AT89S51芯片内的Flash存储器有3个可编程的加密位，定义了3个加密级别，用户只要对3个加密位：LB1、LB2、LB3进行编程即可实现3个不同级别的加密。3个加密位的状态可以是编程(P)或不编程(U)，3个加密位的状态所提供的3个级别的加密功能见下表。
　　
　　表 加密位的3级加密类型
　　
　　对3个加密位的编程可参照下表所列的控制信号电平来进行，开发者也可按照所购买的编程器的菜单，选择加密功能选项（如果有的话）即可。经过上述的加密处理，使解密的难度加大，但还是可以解密。现在还有一种非恢复性加密（OTP加密）方法，就是将AT89S51的第31脚（EA(的反)脚）烧断或某些数据线烧断，经过上述处理后的芯片仍然正常工作，但不再具有读取、擦除、重复烧写等功能。这是一种较强的加密手段。国内某些厂家编程器直接具有此功能（例如RF-1800编程器）。
　　
　　表 加密位的编程
　　
　　如何将调试好的程序写入到片内的Flash存储器中？即AT89S51片内Flash存储器编程问题。AT89S51的片内Flash存储器有低电压编程(Vpp=5 V)和高电压编程（Vpp=12 V）两类芯片。低电压编程可用于在线编程，高电压编程与一般常用的EPROM编程器兼容。在AT89S51芯片的封装面上都标有低电压编程或高电压编程的标志。
　　
　　AT89S51单片机的应用程序在PC机中与在线仿真器以及用户目标板一起调试通过后，PC机中调试完毕的程序代码文件（．Hex目标文件）必须写入到AT89S51片内的闪烁存储器中。

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