对于IRFP31N50LP6F来说，V(BR)DSS=500V。但实际的耐压如果为525V的话，只要外加电压不超过525V．管子的漏极源极是不会被击穿的。此时即使VDS超过50v管子也不会进入雪崩工作区。
2．雪崩能量EAS
如果MOSFET的击穿状态是短时间的话，单个脉冲的雪崩能量EAS等于单次流过的最大雪崩电流lAR与时间的乘积，单位是焦耳。
MOSFET的雪崩能量E^s是在Tj=25℃时规定的。结温TJ与漏极电流I。的关系如下图所示。
对IRFP31N50LP6F来说单个脉冲的EAs=460mJ，单个脉冲的雪崩电流IAR=31A。EAs=VDSIARt，所以t=EAs/VDsIAR。若vcs-500v，则t=460mj/500Vx31A=29.7μs。
由于MOSFET几乎都是工作于开关状态的，冲击电压超过耐压的情况会经常出现，是反复发生的。
反复雪崩能量EAR用反复流过的雪崩电流IAR与时间的乘积表示。EAR和EAs合起来称为雪崩耐量，其单位是焦耳。若想算出1秒钟的能量损耗W．只需乘以重复频率即可。
IRFP31N50LP6F的反复雪崩能量EAR为46mJ。若vos=500v，lAR=20A，则反复流过的脉冲电流的宽度t=EAR/VDSlAR[S]=46mj/500Vx20A≈4.6μs。也就是说，如果IRFP31N50LP6F在工作时流过的脉冲电流宽度t=4.6μs的话，就能承受20A的反复雪崩电流。
但是，通常除了开关损耗和因RDs(on)引起的导通损耗之外，连续雪崩的工作状态也会引起温度上升，必须设法让这些原因引起的温升不要过大，让结温保持在150℃以下。此时的温度可以通过瞬变热阻抗来加以计算。
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