随着变频调速技术的不断发展,所采用的电力电子器件,从晶闸管过渡到自关断型GTo和IGBT。采用GTO变频器,可以得到理想输出电压波形,但GTO是电流控制型器件,对驱动电路和吸收电路要求较高,且存在噪声较大等缺点。IGBT(绝缘栅双极晶体管)是80年代发展起来新型复合功率器件,它集中了MosFET和GTR的优点,从而具有以下诸多优点:(1)采用电压型驱动,驱动电路简单;(2)驱动功率小,导通时通态压降小;(3)开关频率高,噪声低。
近年来,随着生产的需要,又推出了新的IGBT系列,即IPM智能功率模块。它具有小型多功能,使用方便诸多优点。在此,选用日本富士电机系列,与以往IGBT模块及驱动电路的组件相比有如下特点:(l)内含驱动电路。设定了最佳的驱动条件,驱动电路与IGBT间的距离很短,输出阻抗很低,因此,不需要加反向偏压。(2)内含过流保护短路保护。由于是通过检测各集电极电流实现保护的,故不管哪个管发生异常,都能保护。(3)内含驱动电源欠电压保护,每个驱动电路都具有保护功能。(4)内含过热保护,可防止续流二极管过热。(5)内含制动电路。在变频调速系统中,PWM脉冲的生成很重要。本系统选用SLE4520专用集成芯片。它是一种应用ACMOS技术制作的低功耗大规模集成电路,能把三个8位数字量同时转换成三路相应脉宽矩形波信号,与8位微机联合使用,可产生三相变频器所需的六路控制信号,输出的SPWM波的开关频率可达20妞Z,基波频率可达260HZ,因此,适用于IGBT变频器。
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