利用多年的实例总结了一些经验拿来和大家分享。有关变流器的核心器件-MOSFET和IGBT。MOSFET和IGBT是当前变流器中应用最广泛，最重要的两类核心器件。MOSFET主要应用在低压和中压(中小功率)，IGBT主要应用在高压和中压(大功率)领域。
首先来说MOSFET，提一个基础性问题，驱动MOSFET导通的最佳栅电压是多少伏?绝大多数人的回答是：15V。这个答案不能说错，但是，这活干得太粗。MOSFET的导通电阻是随栅电压的提高而下降，当栅电压达到一定值时，导通电阻就基本不会再降了，暂且称之为“充分导通”，一般认为这个电压是低于15V的。
实际上，不同耐压的MOSFET达到充分导通的栅电压是不同的。基本规律是：耐压越高的MOSFET，达到充分导通的栅电压越低;耐压越低的MOSFET，达到充分导通的栅电压越高。我查阅了各种耐压MOSFET的VGS-RDS曲线，得到的结论是：耐压200V的MOSFET达到充分导通的栅电压>16V;耐压500V的MOSFET达到充分导通的栅电压>12V;耐压1000V的MOSFET达到充分导通的栅电压>8V。因此，建议：耐压200V及以下的MOSFET栅驱动电压=17-18V;耐压500V的MOSFET栅驱动电压=15V;耐压1000V的MOSFET栅驱动电压=12V。
说了MOSFET的驱动电压，再来说说IGBT的驱动电压，IGBT的驱动电压为15±1.5V，与IGBT的耐压无关。驱动电压低于13.5V，IGBT的饱和压降会明显增高;高于16.5V，既没有必要，还可能带来不利的影响。
某些用IGBT作为主功率器件的变流器，IGBT的输出直接与外部负载连接，例如驱动电机调速的变频器，司服系统等等。一旦负载短路，就会造成IGBT极为严重的过流，此时IGBT会有多大的电流呢?大约是IGBT额定电流的几倍到十几倍，过流的严重程度与IGBT的栅驱动电压相关，即，当IGBT的驱动电压在14V以下时，其短路电流就较小，约是其额定电流的几倍;当IGBT的驱动电压在16V以上时，其短路电流就很大，约是其额定电流的十几倍，显然，这么大的短路电流，对IGBT极具破坏性。虽然，IGBT号称有10微秒的抗短路能力，十几倍的额定电流也是难于承受的，我的经验是，最多只能承受一次，第二次就玩完。因此，建议，如果有条件严格控制IGBT的驱动电压的话，此类变流器IGBT的栅电压为14.5-15.5V为宜。
本文关键字：变流器 变频器基础，变频技术 - 变频器基础
