通孔刻蚀工艺的检测技术研究（2）

明场检测技术是指通过在明场中的探测器来捕获缺陷的检测方法，其检测过程与暗场大致相同。不同点是：

一、采用高亮度白炽光或激光作为光源；

二、探测器被安置在位于硅片正上方的明场区域来接收反射光；

三、检测的单位面积减小；

四、图像处理器需要处理的数据量增大。

明场检测技术作为检测晶片缺陷的有效手段之一，其主要优点在于：首先，明场可以检测到尺寸更小的缺陷。运用小于0.3微米的的垂直入射与反射探测技术，可以看到硅片上更多的细节；其次，没有具体形态或很浅、很光滑的缺陷，在暗场下不容易被发现，而明场检测技术可以吧这些平面图形或类平面图形逐点地勾画出来，从而判断出缺陷，比如平面图形缺陷中的遗漏图形、桥接缺陷等，都是运用明场检测技术来捕捉的。KLA-Tencor的明场检测设备在半导体制造企业广泛应用（如图4所示）。

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