当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时。薄片的两端就会产生电位差。这种现象称为霍尔效应。两端具有的电位差称为霍尔电动式。其表达式U=K·I·B／d。其中K为霍尔系数，I为薄片中通过的电流，B为外加磁场的感应强度，d为薄片的厚度。由此可见霍尔元件灵敏度的高低和外加磁场成正比。
霍尔开关的输入端是以磁场感应强度B来表示的，当B达到一定程度时，霍尔元件内部的触发电路翻转，霍尔开关的输出电平状态也随之翻转。输出端一般采用晶体管输出，和接近开关（电感式）类似有NPN和PNP型，有常开、常闭、双极形等之分。霍尔开关具有无触点、低功耗、长寿命、频率响应快等特点，内部采用树脂封注而成。霍尔接近开关的方框图和内部原理图见上图所示。按线图见中图所示的3种。
霍尔接近开关的输出极性和感应式原理基本一样。实际应用电路见下图所示。
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