D0－D63数据线；A0－A13地址线；CE2#/DQM2、CE3#/DQM3数据允许输出；LDQMO、VDQM1数据允许输出线；BS0、BS1存储块选择信号，选择存储颗粒；RESVD/DQ64、RESVD/DQ65可空、可接地；CRE0、CRE1时钟使用信号；RFU/CLK0时钟；RAS列刷新信号，对内存刷新；WE#写允许；CS1、CS2片选,内存选择的信号；RESVID/DQ66、RESVID/DQ67空。
为高电平表示允许内存条使用时钟信号为省电而设计的CAS表示行刷新信号内存测试点：31针CLK0；61、14、37针CLK1；33、65RAS、66CAS为1.5V左右。
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