MOC3061在可控硅驱动中的实际电路如图所示。图中R1 为限流电阻，使输入的L ED电流分别为15mA （MOC3061 ）、10mA（MOC3062 ）、5mA （MOC3063 ）即可。R1 可按下式计算：
R1=（VCC-Vf）/Ift式中：
Vf为红外发光二极管的正向电压，一般取1.2V到1.4V.
Ift为红外发光二极管触发电流，可按表2选择，若工作温度在25度以下，Ift应适当增加。
R2 是双向可控硅的门极电阻,当可控硅灵敏度较高时, 门极阻抗也很高, 并上R2 可提高抗干扰能力。R3 是触发功率双向可控硅的限流电阻,其值由交流电网电压峰值及触发器输出端允许重复冲击电流峰值决定,可按下式选取:
外39Ω 电阻和0. 01μF 电容组成浪涌吸收电路,防止浪涌电压损坏双向可控硅。建议用该电路驱动两个反并联(背对背)的可控硅开关(元件) ,图中稳压管可选用1N4001,电阻R2和R3 可选择300Ω。
本文关键字：可控硅 驱动电路及控制电路，单元电路 - 驱动电路及控制电路
