表中电阻的功率由下式确定
PR= f CU m x 10 电容耐压一般为晶闸管电压 1.3 倍
式中 f————频率 50HZ PR——-电阻功率 W Um——-晶闸管工作峰值电压 V C——-串联的电容 μ F
交流侧过电压极其保护
交流侧电路在接通 断开时会产生过电压 对于这类过电压保护 目前主要采用压敏电阻和瞬态电压抑制器 Transient Voltage Supperessor ,简称 TVS 压敏电阻是一种非线性器件 它是以氧化锌为基体的金属氧化物 有两个电极 极间充填有氧化铋等晶粒 正常电压时晶粒呈高阻仅有 100uA 左右的漏电流,过电压时引起电子雪崩呈低阻使电流迅速增大吸收过电压. 其接法与阻容吸收电路相同 在交 直流侧完全可以取代阻容吸收 但不能用作限制 dv/dt 的保护 故不宜接在晶闸管的两端 -12TVS 类器件当其两端受到瞬时高压时 能以极高的速度 10 /S 从高阻变为低阻吸收高达数千瓦的浪涌 TVS 的部分型号性能参数如下表
过电流保护
串接交流进线或采用漏抗大的整流变压器 利用电抗限制短路电流 但此种方法在交流电流较大时存在交流压降。
电流检测和过流继电器
通过电流检测实际电流值并与设定值进行比较 当实际电流值超过设定值时 通过比较器输出电压值控制移相角度增大或拉逆变的方法减少电流 有时须停机。 请登陆:输配电设备网 浏览更多信息
快速熔断器
与普通熔断器比较 快速熔断器是专门用来保护半导体功率器件过电流的 它具有快速熔断的特性 在流过 6 倍额定电流时其熔断时间小于 50Hz 交流电的一个周期 20 ms 快速熔断器可接在交流侧 直流侧或与晶闸管桥臂串联 后者直接效果最好 一般说来快速熔断器额定电流值 有效值 应小于被保护晶闸管的额定有效值 同时要大于流过晶闸管的实际有效值 电压及电流上升率的保护。
电压上升率 dv/dt
晶闸管阻断时 其阴阳极之间相当于一个结电容 当突加阳极电压时会产生充电电容电流 此电流可能导致晶闸管误导通 因此 对管子的最大正向电压上升率必须加以限制 一般采用阻容吸收元件并联在晶闸管两端的办法加以限制。
电流上升率 di/dt
晶闸管开通时 电流是从靠近门极区的阴极开始导通然后逐渐扩展到整个阴极区直至全部导通,这个过程需要一定的时间 如阳极电流上升太快 使电流来不及扩展到整个管子的 PN结面 造成门极附近的阴极因电流密度过大 发热过于集中 PN 结温会很快超过额定结温而烧毁 故必须限定晶闸管的电流上升临界值 di/dt 一般在桥臂中串入电感或铁淦氧磁环。
温度保护
模块产品与其它功率器件一样 在实际工作中 由于自身功耗 会引起管芯温度的升高结温急剧上升 直至达到或超过额定结温 （Tjm） 如果不采取措施将这种热量散发出去 就会致使管芯特性变软 漏电流增加 直至完全过热击穿损坏 晶闸管的损耗主要由导通损耗（导通平均电流与导通平均压降乘积） 开关损耗 门极损耗三部分组成 其中最主要的是正向导通损耗。
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