IGBT模块的VGE保证值一般最大为±20V（保证值在说明书中有记载，请确认）。在IGBT的G-E间外加超过VGES保证值的电压时，IGBT的门极就有损坏的危险。请注意不要在G-E间外加超出保证值的电压。特别注意IGBT的门极对静电等非常敏感，因此请在使用产品时遵守以下所述的注意点。
1）使用模块时，先让人体和衣服上所带的静电通过高电阻（1MΩ左右）接地线放电后，再在接地的导电性垫板上进行操作。
2）使用IGBT模块时，要拿封装主体，不要直接触碰端子（特别是控制端子）部。
3）对IGBT端子进行锡焊作业的时候，为了避免由烙铁、烙铁焊台的泄漏产生的静电外加到IGBT上，烙铁前端等要用十分低的电阻接地。
4）IGBT模块是在用IC泡沫材等导电性材料对控制端子采取防静电对策的状态下出库的。这种导电性材料在产品进行电路连接后才能去除。
另外，在门极-发射极间开放的状态下，集电极-发射极间施加电压时，IGBT有可能受损。
这是由于集电极电势的变化，如图所示引起电流（i）流过，门极电势上升，IGBT开通，集电极电流流过，从而使IGBT发热甚至有受损的可能性。产品装入装置中时，在门极电路故障，或者门极电路不能正常工作的状态下（门极开放的状态），主电路上外加电压时，也会由于以上理由使IGBT受损。为了防止这种损坏的发生，推荐在门极-发射极间连接10kΩ(RGE)左右的电阻。
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