DS1302在照明节电控制器中的应用

寄存器名 地址(命令字) 定义(各位内容) 7 6 5 4 3 2 1 0 7 6 5 4 3 2 1 0 控制寄存器 1 0 0 0 1 1 1 R/W WP 0 0 0 0 0 0 0 绢流充电寄存器 1 0 0 1 0 0 0 R/W 1 0 1 0 DS DS RS RS 时钟/日历多字节寄存器 1 0 1 1 1 1 1 R/W 注：时钟/日历寄存器中的地址9-31不能存储数据。

　　5、控制寄存器(写保护寄存器)：该寄存器的地址(命令字)与定义(各位内容)详见上表。在控制寄存器各位内容中，位7是写保护位，该位为0时允许对时钟/日历寄存器或片内RAM进行写操作；该位为1时禁止对时钟/日历寄存器或片内RAM进行写操作。实际应用中，在对DSl302进行写操作语句之前一定要先有writEDAta(Ox8e，OxO0)；语句，以允许对DSl302进行写操作。写入完毕可用writedata(Ox8e，Ox80)；语句，以禁止对DS1302进行写操作。
　　
　　6、绢流充电寄存器：后备电源是主电源掉电时，DS1302内部数据不丢失的重要保证，对后备电源必须进行绢流充电。
　　
　　该寄存器的地址(命令字)与定义(各位内容)详见上表。绢流充电部分的基本组成如下图示。绢流充电寄存器的位7一位4规定为1010，其它模式禁止充电。DS1302上电时，绢流充电被禁止。位3、位2用于选择在VCC2与VCC1之间连接一个二极管还是两个二极管。如果位3、位2为01，表示选择一个二极管：如果位3、位2为10，表示选择两个二极管；如果为00或11，充电也被禁止，与位7一位4无关。位1、位0用于选择连接在VCC2与VCCI之间的电阻，详见表20如果位1、位0为00，充电也被禁止，与位7一位4无关。二极管和电阻的选择应根据后备电池所需的最大充电电流决定。本例中+5V系统电源加到DSl302VCC2((7)脚)，DSl302VCCl((8)脚)接后备电池，绢流充电器工作时在VCC2和VCC1之间接一个二极管和电阻R2，则最大充电电流计算方法如下：
　　
　　Imax=(5.OV-二极管压降)/R2≈(5.OV-0.7V)/4kΩ)≈1.1mA,

　  下表为绢流充电寄存器电阻器的选择

BIT1 BITO 电阻器  电阻值 0 0 无 无 0 1 R1 2K 1 0 R2 4K 1 1 R3 8K

　　设置后备电池充电电流为1.1mA的C程序语句为：writedata(Ox90,Oxa6);

　　7、时钟暂停：秒寄存器的位7定义为时钟暂停位。当此位设置为1时，时钟振荡器停止；当此位设置为0时，时钟振荡器启动。在当前时间调校程序的开始部分应有writedata(Ox80，Ox80)；语句，让时钟振荡器停振；在当前时间调校程序的结束部分应有writedata(Ox80，OxOO)；语句，让时钟振荡器启振，以保证时间准确。
　　
　　8、片内静态RAM：片内静态RAM的地址(命令字)与说明详见表3。本例中只用了RAMO、RAM1分别存储断电时间小时、分钟，它们的写入C程序分别为writedata(0xcO，adjwhk)；(BCD码格式断电时间小时存于RAMO)、writedata(Oxc2，adjwmk)；(BCD码格式断电时间分钟存于RAMI)。读出C程序分别为readdata(Oxc1)；(从RAMO中读取晚上断电时间小时)、readdata(Oxc3)；(从RAMI中读取晚上断电时间分钟)。

　　下表为DSl302内部RAM

RAM号       地址 (命令字；)     说          明 7 6 5 4 3 2 1 0  RAM0 1 1 0 0 0 0 0 R/W RAM0-RAM30用于存储器用户需存储的数据。本例在RAM0中存储断电时间小时，RAM1中存储断电时间分钟。   RAM1 1 1 0 0 0 0 1  R/W     . . . ....  RAM30 1  ! 1 1 1 1 0  R/W  RAM31 1 1 1 1 1 　 1  R/W RAM中的地址31不能存储数据。

　　9、多字节传送方式：当命令字节为BF或BE时为时钟/日历多字节传送方式，此时可一次性顺序读写(从地址0的位0开始]除绢流充电寄存器外的所有寄存器内容。注意：在时钟/日历多字节传送方式下，如果控制寄存器的位7设置为1，则没有数据会传送到8个时钟/日历寄存器(包括控制寄存器）的任何一个0另外，写保护位也不能在多字节传送方式下写入。当命令字节为FF或FE时为RAM多字节传送方式，此时可一次性顺序读写所有的31个RAM字节。本例需读写的数据内容较少，故没有采用多字节传送方式。

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