2工作原理25XX040片内有一个8位指令寄存器，指令通过SI脚接收，在SCK的上升沿串行输入。指令输入时，CS脚必须为低电平，HOLD脚必须为高电平。WP必须保持高电平，允许写存储器阵列。
表1是25XX040的指令集，指令字节中包含地址位A8，传输时最高位在前，最低位在后。
表1CS置为低电平后SCK的第一个上升沿开始数据采样。如果与SPI总线上的其它外围器件共用SCK，可改变HOLD引脚电平将25AA040设置成“保持”方式。释放HOLD后，再从HOLD信号确认处继续传送。
·读序列CS降至低电平25AA040被选中。包括A8地址在内的8位读指令被传送到25AA040，接着是低8位地址(A7～A0)。在接收到正确的读指令及低8位地址后，选定地址的内容由SO口串行输出。而下一地址单元的内容将随着时钟脉冲继续输出。每当一个字节的数据传送完毕，25AA040片内的地址指针自动加1，指向下一个地址。当最高位地址(01FFH)内容读出后，地址指针指向0000H，下一个读出周期将继续。CS脚转为高电平读操作终止。
·写序列在着手向25AA040写数据之前，必须先发出WREN指令，置位写允许锁存器，其操作为：先将CS置为低电平，然后按时钟节拍将WREN指令送至25AA040，当指令的8位数全部传送完毕后，再将CS端置为高电平置位写允许锁存器。发出WREN指令后未将CS端置为高电平前，写允许锁存器并没有置位，向25AA040传送的数据将不会被写入存储器阵列。
写允许锁存器置位后，再将CS端置为低电平，发出包括A8地址在内的8位写指令及低8位地址(A7～A0)，然后送要写入的数据。一次写序列最多可以连续写16个字节的数据，且所有要写入的数据的地址必须在同一页。一页的首址为XXXX 0000，末址为XXXX 1111。若内部地址计数器已到XXXX 1111，时钟仍在继续，内部地址计数器将重新指向该页的首址XXXX 0000，原写入到该地址的内容就会被覆盖。
为将数据真正写入到25AA040中，须在字节写入或页写入数据的第n个字节的最后一个有效位(D0)送出后将CS置为高电平。若在此外的其它时间将CS置为高电平，写操作就不能完成。在写操作进行时，可以读状态寄存器来检查WIP、WEL、BP1和BP0位的状态。在写周期内是不可能读存储器阵列位置的。一旦写周期完成，写允许锁存器也就被复位了。
·写允许(WREN)和写禁止(WRDI)25AA040片内有一个写允许锁存器。表2为写保护功能表。在任何写操作将完成之前必须立即置位写允许锁存器。写允许锁存器由WREN指令置位，由WRDI指令复位。
表2满足以下条件之一，写允许锁存器将被复位：
1)上电；2)WRDI指令成功地执行；3)WRSR指令成功地执行；4)WRITE指令成功地执行；5)WP引脚为低电平。
·状态寄存器读(RDSR)RDSR指令读状态寄存器。状态寄存器可在任何时候读出。状态寄存器的格式如下：
7 6 5 4 3 2 1 0X X X X BP1 BP0 WEL WIP其中，写入保护位(WIP)指示25AA040是否正忙于写入操作，是只读位。WIP为“1”，表示写入正在进行；WIP为“0”，表示未进行写入操作。
写允许锁存器状态位(WEL)指示写允许锁存器的状态，是只读位。WEL为“1”，允许写阵列；WEL为“0”，锁存器禁止写阵列。WEL位的状态由执行WREN或WRDI指令确定，与状态寄存器是否写保护无关。
块保护位(BP0和BP1)指示当前保护的块地址。块保护地址由用户发出的WRSR指令设定。一旦该块地址的内容被保护，就只能读出而不能写入。
·状态寄存器写(WRSR)WRSR指令允许用户通过写状态寄存器BP1、BP0位的方法选择对存储器的保护区，BP0、BP1与块保护地址的关系见表3。
表3·数据保护25AA040采取用多种措施保证存储器阵列不被误写入。1)上电时复位写允许锁存器；2)必须发出写允许指令方可置位写允许锁存器；3)在单字节写入、页写入或状态寄存器写入后，写允许锁存器被复位；4)对芯片写入时，在接收了定数量的时钟周期之后，必须将CS端置为高电平，芯片内部的写周期才开始；5)在内部写周期期间，对存储器阵列的存取无效；6)WP引脚为高电平时，复位写允许锁存器。
·芯片上电时的状态25AA040上电时的状态如下：器件处于低功耗待机方式(CS=1)；写允许锁存器被复位；SO引脚为高阻态；必须将CS引脚置为低电平方可进入工作状态。
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