由于外加电源电压产生的电场方向正好和阻挡层内正、负离子产生的电场方向相反，这就使阻挡层内总的电场减弱，可见有了名加正向电压时，原来阻挡层内扩散作用和漂移作用的平衡就被破坏了。扩散作用占了优势。于是，P区中的多数载流子空穴，就很容易穿过阻挡层扩散到N区，形成空穴电流Ip；同时，N区中的多数载流子，也很容易穿过阻挡层扩散到P区，形成电子电流In。空穴电流和电子电流的方向都是从P区流向N区的，于是在外电路中，PN结的正向电流为二者之和，即I+=Ip+In。如果把正向电压销加大一点，阻挡层中总的电场也就再减弱一些，就会有更多的P区的空穴扩散到N区，使电子电流增大。所以PN结正向导电时，其正向电阻很小，正向电流较大，并且正向电流随外加电压的增加而增大。
2．结的反向运用 www.55dianzi.com 
如图二。外加电源的正极接N区，负极接P区，给PN结加反向电压。PN结的这种运用状态称为反向运用。反向运用时，外加电压阻挡层中产生的电场与阻挡层原来的电场方向相同。因此，阻挡层内总的电场增强。同时外加电压使P区的空穴向左移动，使N区的电子向右移动。由于PN结两边的载流子移走，所以使PN结中所包含的空间电荷量增加，阻挡层变宽。可见，外加反向电压也使阻挡层内扩散作用和漂移作用的平衡受到破坏，使电场的漂移作用占了优势。因而，P区和N区的多数载流子的扩散运动都被阻止。由于本征激发，在P区中有少数载流子电子，在N区中有少数载流子空穴，在PN结反向运用时，电场的漂移作用占优势，因此，P区的少数载流子电子一旦运动到PN结边界处，在电场的作用下就被拉到N区，形成电子电流I＇n，同样，N区的少数载流子空穴一旦运动到PN结边界处，也会在电场的作用下被拉到P区，形成空穴电流I＇p。空穴电流I＇P和电子电流I＇n的方向都是从N区流向P区的，因此PN结的反向电流为I-=I＇P+I＇n。P区的电子和N区的空穴都是少数载流子,数量很少，所以PN结的反向电流是很小的。
综上所述，PN结加正向电压时，电流大，PN结所呈现的电阻小。PN结加反向电压时，电流小，PN结所呈现的电阻大，这就是PN结的单向导电性。
（二） N结的击穿现象
PN结在反向运用时，如果反向电压超过一定的限度，反向电流会突然急剧增大，破坏PN结的单向导电性，这种现象中做PN结反向击穿，当反向电流增加到一定数值时，所对就的反向电压VB，就称为PN结的击穿电压。PN结有两种击穿情况：雪崩击穿和齐纳击穿。
（三） PN结的电容
① 垒电容CT电容器是一种能"存""放"电荷的容器。由于PN结也具有"存""放"电荷的作用，因此"N结内存在着一个等效电容器，称为PN结的势垒电容，又叫阻挡层电容。PN结是怎样"存""放"电荷的呢？PN结空间电荷区的宽窄是随外加电压的变化而变化的。当外加正向电压增大时，空间电荷区就会变窄，当外加正向电压增小时，空间电荷区就要变宽。空间电荷区变窄， 是因为N型区的电子和P型区的空穴进入空间电荷区，中和掉了其中一部分正离子和负离子。这就相当于使一部分电子和空穴"存入"空间电荷区；相反，空间电荷区变宽，是因为靠近阻挡层一些空穴（P区）和电子（N区）被推出，这就相当于使一部分电子和空穴从空间电荷区"放"出来。
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PN结势垒电容的存在，相当于在PN结两侧之间并联了一个电容，如图3。我们知道，直流电是不能通过电容的。但是高频交流电却可以通过它。如果有很大一部分高频交流电流直接通过PN结电容，那么PN结将失去单向导电性。
扩散电容CD在二极管正向导电的过程中，从P区经过PN结扩散到N区的空穴，由于来不及立即与N区中的电子复合掉，因而开始时要在N区靠近PN结的附近，有一定程度的积累；同样，从N区经过PN结扩散到P区的电子，也会在P区靠近PN结的附近，有一定程度的积累。这种积累的程度，也会随着外加正向电压的大小，或者说随着扩散电流的强弱，而有所增减。这也是一种"存""放"电荷的作用。通常把这种由扩散过程形成的电容叫扩散电容，扩散电容的影响与PN结电容差不多。在外加变化电压的作用下，势垒电容CT和扩散电容CD的充放电电流在外电路是迭加的。因此，势垒电容和扩散电容是并联关系。所以PN结的总电容为Cj=CT+CD。当PN结正向阳花运用时，扩散电容要比阻挡层电容大得多，可以近似地认为是扩散电容CD起作用。而在PN结反向运用时，扩散电容近似为零，可只考虑势垒电容CT的影响。
