图4-15为616G3 55KW安川变频器驱动电路图，由CPU口主板来的U+、U-、V+、
V-、W+、W-六路PWM脉冲信号，经了TLP250驱动光耦隔离和放大后，送入后置功率放大器继续放大至一定的电流幅度后，由化1CN-6CN 6个信号端子输入至逆变电路的6只IGBT模块。本电路中IGBT管压降检测与保护电路是由分立元件构成的，因此更便于理解IGBT管压降检测与保护动作过程。将图4-15中的其中一路脉冲与保护电路(W相上臂IGBT驱动电路)稍为改画，即可看出IGBT管压降检测电路是如何对IGBT模块实施保护动作的了，如图4-16所示。
在变频器未接收起动信号时,U2的6、 7输出脚为截止负电压，如以0V电源线做为参考点的话，此时6、 7脚电压约-9.5V，此负压经R13、C1、R3引入到和的基极，C1为加速电容，能加快VT2的导通并加速的截止。VT2因反偏压而截止，VT3因正偏压而导通，IGBT模块的栅偏压为负，处于截止状态。电阻R1、 R2对和负-9.5V分压得到3V的电压。VD9是击穿电压值为9V的稳压管，R1与R2的分压值不足以使其击穿， 故VT3无偏流，处于截止状态。光耦合器U1无输入电流，故无GF(接地)和OC(过载、短路)等故障信号返回IGBT。当CPU发送激励脉冲期间，U2的7、 8脚变为峰值为15V的正脉冲电压，VD1的正极便因VD3的隔离作用而上升为15V，此时便出现了两种情况：一种情况下是模块良好，IGBT在正激励脉冲驱动下迅即导通，可认为P与电源供电0V线短接了。VD1、 VS2的负端电位因IGBT模块的导通被拉低为0V的低电平，使IGBT仍无基极偏流而截止；一种情况下是模块已损坏或因负载异常使运行电流过大，或因等驱动电路本身不良使IGBT管子并未良好地导通（导通管压降大大上升），反偏截止，此时由R1、 VD1引入的+15V电压使VS2击穿，VT1得到偏流导通，将U2输出的正脉冲电压拉为0.8V左右零电平，IGBT模块失去激励脉冲而截止。保护动作管VT3的C极串人VD4的目的，是使驱动脉冲电压在保护电路动作后仍能保持一个低电平输出，实现软关断控制。同时VT3的导通产生了 U1的输人电流通路，U1将模块故障信号送人CPU。可见此电路是保护电路先切断了IGBT的驱动脉冲，同时送出了模块故障信号。保护时间上是较为及时和快速的。
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