作者简介
王晓辉 (1984-) 女 硕士研究生，研究方向为电力电子设备的电磁兼容。
参考文献[1] beukes h j,enslin j h r，spee r．bus bar design consideration for high power igbt converters[c]．ieee power electronics specialists conference,st. louis, missouri,usa,1997．
[2] 易荣, 赵争鸣. 受杂散电感影响的大容量变换器中igct关断特性研究[j].中国电机工程学报, 2007, 27(31):115～120．
[3] g.l.skibinski,d.m.divan,“design methodology and modeling of low-inductance planar bus structure,”epe 1993, pp. 98-105.
[4] 李方正, 孙旭东, 黄立培, 等.大容量变流器复杂形状直流母线的peec建模[j].清华大学学报, 2009,49(8):1089～1092．
[5] 钟玉林, 咸哲龙, 孙旭东,等.计及部分电容的接地回路高频电路模型[j].中国电机工程学报, 2005,25(17):37～41,149．
[6] t. ohi, t. horiguhi, t. okuda, t. kikunaga, h. matsumoto, “analysis and measurement of chip current imbalances caused by the structure of bus bars in an igbt modlte”, ieee ias 34e ann. meet.,october 3-7, 1999, phoenix, arizona; conf. rec.. vol. 3, pp. 1775～1779.
[7] 孙强, 王雪茹, 曹跃龙, 等. 大功率igbt模块并联均流问题研究[j]. 电力电子技术, 2004,38(1):4～6．
[8] skibinski g l, divan d m.design methodology & modeling of low inductance planar bus structures[c]. fifth european conference on power electronics and applications，brighton,uk,1993．
作 者：中国矿业大学信息与电气工程学院 王晓辉 张 晓 孙新贺
上一页 [1] [2]
本文关键字：变流器 设计参考，变频技术 - 设计参考
