;
文章:新闻┆EDA技术┆电源技术┆无线通信┆测量仪表┆嵌入式类┆电子技术┆制造技术┆半导体┆网络协议┆展会┆实验┆家电维修 3G
下载:EDA教程┆电源技术┆电子书籍┆电子元件┆无线通信┆通信网络┆电路图纸┆嵌入式类┆单片机┆传感/控制┆电子教材┆模拟数字┆
.... 音视频类┆消费电子┆机械电子┆行业软件┆C/C++┆FPGA/ASIC┆规则标准┆家电维修┆DSP┆IC资料┆ARM┆软件┆
电路图┆
电子技术论坛 
位置：电子发烧友 > 电子技术应用 > 电源技术 > 设计应用 >功率MOSFET并联均流问题研究
退出登录
用户管理
功率MOSFET并联均流问题研究
作者：佚名 来源：本站整理 发布时间：2009-6-30 13:38:07 [收 藏] [评 论]
功率MOSFET并联均流问题研究
对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参数和外围电路联系起来，得出较大的Q值和适当的Ls/Lx有利于并联均流。大量的仿真和小功率实验结果均表明该方法的正确性。
关键词：功率MOSFETS；多管并联；高频；Q轨迹引言1 影响功率MOSFET并联均流的因素
1.1 内部参数对并联均流的影响
图2
2 Q值对并联均流的影响
从图1中实线可以看出，Q值越大，换向时间越短，开通损耗越低但关断损耗增大；从图1中虚线可以看出在线路中引入源极电感，器件的开关轨迹发生很大变化，开通损耗增加而关断损耗减小。在高频情况下，器件的开关时间和开关损耗对整个系统效率的提高至关重要。从上面的分析可知器件理想的工作条件应该是在相对较高的Q值下。以下基于不同Q值，通过仿真软件PSPICE分析外围线路中各种寄生参数对并联均流的影响。
图3 2.2 Q值对双管并联均流影响的仿真分析
从图4可以看出，引入源极电感Ls，并联不均流得到改善，但Ls越大器件关断时间越长。在设计中，并联器件源极电感保持一致是必须的，寻找最优的Ls（即Ls/Lx）使得并联均流特性最好。表1为阈值电压Vth相差10％，其它参数均一致情况下，分别取不同Q和Ls/Lx，器件开通和关断过程中电流不均衡的仿真分析结果。其中Δi=iD1－iD2，为并联两管漏电流相差最大处的差值。表1 内部特性参数不一致下，Q和Ls/Lx不同对器件动态电流分布的影响3 实验验证
2）使Rg=10.0Ω，其它条件不变，漏极电流iD波形如图6所示。
4 结语
3）电路布局对称并尽可能紧凑，连线长度相同且减短加粗并使用双股绞线；
本文关键字：暂无联系方式电工文摘，电工技术 - 电工文摘
