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30kVA逆变电源中IGBT的驱动与保护

30kVA逆变电源中IGBT的驱动与保护

点击数:7169 次   录入时间:03-04 11:45:20   整理:http://www.55dianzi.com   电工文摘

3.4过热保护

IGBT过热的原因可能是驱动波形不好或电流过大或开关频率太高,也可能由于散热状况不良。可以利用温度传感器检测IGBT的散热器温度,当超过允许温度时使主电路停止工作。

4结语

本文介绍IGBT的驱动电路M57962L和逆变电源中IGBT的过压,栅极过压,过流、过热保护措施,所介绍的驱动与保护技术及其实现电路,已成功地应用于我们所研制的30kVA正弦波逆变电源装置中,由于该电源具有良好的驱动和可靠的保护措施,即使在输出直接短路的情况下,仍能保证IGBT不损坏,从而确保电源整机工作的可靠性。

参考文献

1 Chokhawala Rahuls, Catt Jamie and Pelly Brain R. Gate Drive Considerations for IGBT Modules. IEEE Transactions on Industry Applications.1995;31(3):603- 611

2 Mitsdbsai Semiconductors Power Module Mos Data Book First Edition .1995.

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