( 2) 电路 的基本形式
①直接驱动式
直接驱动又包括如下具体形式：
a. 用TTL 驱动 MOSFET 。可按图9 所示，用TTL 驱动 MOSFET 。
另一种驱动MOSFET 的方法是使用专用的集成化 缓冲器 。图10 中的 DS0026 ，便是其中一例。
图9 用TTL 驱动MOSFET示图
图10 用专用的集成化缓冲器驱动MOSFET示图
b. 用CMOS电路驱动MOSFET。由于MOSFET 有很高的输入阻抗，所以可考虑用CMOS 电路直接驱动其栅极，如图11 所示。
图11 用CMOS电路驱动MOSFET示图
c. 用线性互补电路驱动MOSFET。用线性 运算放大器 来直接驱动MOSFET，受限制的因素主要是运算 放大器 的回扫时间较长，因此，采用这种驱动方式的工作频率限于25 kHz 以下。为了改善频带宽度和回扫速度稍慢的问题，可插入一个射极跟随器，如图12 所示。
图12 用线性互补电路驱动MOSFET示图
②耦合驱动式和混合式。
驱动共漏极MOS－FET 的另一类电路是，利用 变压器 耦合，如图13 所示。
图13 用变压器耦合驱动共MOSFET示图
3. 场效应 晶体管 的保护电路
( 1）过电压保护电路
加到MOSFET 上的浪涌电压有 开关 与其他MOSFET 等部件产生的浪涌电压：
有MOSFET 自身关断时产生的浪涌电压；有MOSFET 内部 二极管 的反向恢复特性产生的浪涌电压等。这些过电压会损坏 元器件 ，因此要降低这些电压的影响。
过电压保护基本电路如图14 所示。
其中图14（a）所示电路是用RC 吸收浪涌电压的方式，图14（b）所示电路是再接一只二极管VD抑制浪涌电压，为防止浪涌电压的振荡，VD 要采用高频 开关二极管 。图14（c）所示电路是用 稳压二极管 钳位浪涌电压的方式，而图14（d）、图14（e）所示电路是MOSFET 上如果加的浪涌电压超过规定值， 就使MOSFET 导通的方式。图14(f)和图14(g)所示电路在 逆变器 电路中使用，在正负 母线 间接电容而吸引浪涌电压。特别是图14(g)所示电路能吸收高于 电源 电压的浪涌电压，吸收电路的损耗小。图14(h)所示电路是对于在感性负载（L）上并联二极管VD，能消除来自负载的浪涌电压。图14(i)所示电路是栅极串联 电阻 RG，使栅极反向电压VCG 选为最佳值，延迟关断时间而抑制浪涌电压的发生。
图14 各种形式的过电压保护电路图
（2）过电流保护电路
MOSFET 的过电流有两种情况，即负载短路与负载过大时产生的过电流。过电流保护的基本电路如图15 所示，由电流互感器（CT）检测过电流，从而切断MOSFET 的栅极信号。也可用电阻或 霍尔元件 替代CT。
图15 过电流保护电路图
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