（在高频情况下，rbc¢的数值很大，可以忽略不计； 一般
，因此，rce也略去）。
高频小信号模型中的元件参数可以通过实验得到，这里介绍的是它与低频小信号模型参的关系。
由于高频小信号模型中的元件参数，在很宽的频率范围内与频率无关，所以模型中的电阻参数和互导gm都可以通过低频小信号模型参数得到。在低频区，如果忽略Cb¢c和Cb¢e影响时，可得如图1所示的低频小信号模型。
图1 低频小信号模型 图2 小信号模型等效电路
将图2与低频小信号模型比较，在输入回路有：
由上式得
再从输出回路比较可得如下的关系：
由于 
Cbc¢就是电容Cob，可以从手册中查到。
Cbe¢可通过下式计算：
式中fT为BJT的特征频率，亦可从手册中查到。
高频小信号模型中的元件参数可以通过实验得到，这里介绍的是它与低频小信号模型参的关系。
由于高频小信号模型中的元件参数，在很宽的频率范围内与频率无关，所以模型中的电阻参数和互导gm都可以通过低频小信号模型参数得到。在低频区，如果忽略Cb¢c和Cb¢e影响时，可得如图1所示的低频小信号模型。
图1 低频小信号模型 图2 小信号模型等效电路
将图2与低频小信号模型比较，在输入回路有：
由上式得
再从输出回路比较可得如下的关系：
由于 
Cbc¢就是电容Cob，可以从手册中查到。
Cbe¢可通过下式计算：
式中fT为BJT的特征频率，亦可从手册中查到。
根据共基电路的交流通路可画出其高频小信号等效电路如图所示。我们来考察BJT电容Cb¢e和Cb¢c以及负载电容CL对高频响应的影响。
(a) 交流通路
(b) 高频小信号等效电路
一、Cb¢e的影响
由共基电路高频小信号等效电路可见，如果忽略rbb¢的影响，则Cb¢e直接接于输入端，输入电容Ci=Cb¢e，不存在密勒倍增效应，且与Cb¢c无关。所以，共基电路的输入电容比共射电路的小得多，fH1很高。理论分析的结果 
。
二、Cb¢c以及负载电容CL的影响
如果忽略rbb¢的影响，则Cb¢c直接接到输出端，也不存在密勒倍增效应。输出回路时常数为 
，输出回路决定的fH2为
本文关键字：暂无联系方式电路基础知识，电子学习 - 基础知识 - 电路基础知识
上一篇：单级放大电路的瞬态响应
